IT之家4月7日消息 截至目前，美光在新加坡已有Fab 10N、Fab 10X两座闪存工厂。本周，美光宣布，第三座NAND闪存工厂将在新加坡开工建设，但具体投产的闪存类型与产能暂未公布，据分析应该为现有64层堆叠闪存的下一代。同时，美光还宣布将在新加坡扩大研发规模。
值得一提的是，不久之前，美光在台湾的子工厂于3月20日因为供氮设备出现电路问题发生氮气供应故障。随后相关设备被送往美国进行维修，并于日前重新回到工厂。受这一事件影响，该工厂预计从4月开始才能恢复全速生产，此事造成的产能下降也导致了全球DRAM供应能力下降。
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