11 月 26 日，在 2021（秋季）USB PD&Type-C 亚洲展上，英诺赛科展示了 All GaN 解决方案；与此同时，英诺赛科高级产品应用经理邹艳波发表了《高性能 All GaN 方案为 USB PD 3.1 应用加速》的主题演讲，现场解析更多 GaN 市场价值及应用新动向。
▲ 英诺赛科高级产品应用经理邹艳波
“USB PD 3.1 快充标准带来了更高的输出电压、更高的功率和功率密度。除了手机、平板、笔记本电脑外，还可以应用于显示器、相机、无人机、扫地机器人，电动工具以及电动自行车等多个场景。”邹艳波指出，“目前，英诺赛科的 GaN 器件已经实现全场景覆盖。”
不过，USB PD 3.1 协议的推出对电源设计也提出了新的挑战。而采用氮化镓（GaN）制成的功率器件凭借其出色的效率及高速切换频率的优势，能完美应对电源设计中的难题。
为此，英诺赛科推出了从 65W 到 240W 全系列 All GaN 解决方案，让功率密度和效率进一步提升。针对 All GaN 方案，英诺赛科推出了 150V GaN 芯片，与目前市面上最高标准的 150V Si MOS 相比，性能提升 2-3 倍。
据邹艳波介绍，英诺赛科 All GaN 方案有以下三种：65W1C，140W 28V/5A 和 240W 48V/5A。
其中，基于 150V GaN 性能，在原方案上升级的 65W All GaN 方案，功率密度可达 31W/in3。在 90V 交流电下效率为 93.4%，在 230V 下效率达 94.7%。
140W 方案可支持 28V/5A 输出，采用无桥 PFC+ACF 架构，功率密度达 30W/in3，大小与传统 65W 快充尺寸相当。
240W（PD3.1 48V5A）方案采用 Totem pole 无桥 PFC+LLC 设计，功率密度高达 41W/in3，效率达 96.5%，尺寸仅为一张银行卡大小。
邹艳波表示，在量产高低压氮化镓器件的基础上，英诺赛科也致力于做全链路高效、高频和高功率密度的方案，从前端电网侧，转到我们的充电器以及到手机内部，实现整个从端到端的解决方案，帮助大家提升能效。值得一提的是，在 IDM 模式助力下，英诺赛科每两代产品升级，可使单片晶圆的芯片数量增加 2 倍左右。
得益于丰富的 InnoGaN 系列产品线，英诺赛科在消费类电源市场高歌猛进，当前出货量已突破 4000 万颗，已经被联想、努比亚、魅族、ANKER、绿联、倍思、品胜、MOMAX、ROCK、REMAX、QCY、Lapo、tegic 等多家知名品牌和厂商的上百款产品所采用，并与合作伙伴共同推出优秀的氮化镓应用方案。
对于未来发展，邹艳波表示，All GaN 方案在绿色能源、数据中心能源、智能电动、直流楼宇等四大领域都将有广泛的应用机会。他指出，“英诺赛科在‘GaN’一件有意义的事情。如果用氮化镓去提升整个供电电路 5% 的效能，以全球每年电能消耗 27 万亿千瓦时来计算，可以实现 10 亿吨的碳减排。”
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