IT之家 3 月 17 日消息,据 businesswire 报道,丰田合成 Toyoda Gosei 与大阪大学合作,成功研制出了 6 英寸的氮化镓 GaN 衬底。
GaN 功率器件广泛用于工业机械、汽车、家用电子等领域,随着全球碳中和的目标,GaN 功率器件作为减少电力损失的一种手段而被寄予厚望,因此需要更高质量和更大直径的 GaN 衬底,以实现更高的生产效率(降低成本)。
在日本环境省牵头的一个项目中,丰田合成和大阪大学采用了一种在钠和镓的液态金属中生长 GaN 晶体的方法,来制造高质量的 GaN 衬底,成功制造出了 6 英寸的衬底,为目前世界最大的衬底。
IT之家了解到,丰田合成接下来将对 6 英寸衬底的批量生产进行质量评估,继续提高质量,并继续增加直径尺寸,有望超过 6 英寸。
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