IT之家 10 月 21 日消息，据 BusinessKorea 报道，三星电子 10 月 20 日在首尔江南区举行了 2022 年三星代工论坛。
该公司代工业务部技术开发部副总裁 Jeong Ki-tae 表示，三星电子今年在世界范围内首次成功地量产了基于 GAA 技术的 3 纳米芯片，与 5 纳米芯片相比，3 纳米芯片的功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面积减少了 16%。
三星电子还计划不遗余力地扩大其芯片代工厂的生产能力，其目标是到 2027 年将其生产能力提高三倍以上。为此，这家芯片制造商正在推行“外壳优先”战略，即首先建造一个无尘室，然后在市场需求出现时灵活地运营该设施。
三星电子代工业务部总裁 Choi Si-young 称：“我们正在韩国和美国经营五家工厂，我们已经获得了建造 10 多座工厂的场地。”
IT之家了解到，三星电子计划在 2023 年推出第二代 3 纳米工艺，在 2025 年开始量产 2 纳米，在 2027 年推出 1.4 纳米工艺，三星于 10 月 3 日（当地时间）在旧金山首次披露这一技术路线图。
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