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SA 机构:电动汽车电力电子日益集成并转向宽禁带技术和 800 伏平台

2022/10/27 15:04:25 来源:IT之家 作者:潇公子 责编:潇公子

IT之家 10 月 27 日消息,Strategy Analytics 电动汽车服务(EVS)近期发布的报告指出,电动汽车面临着消费者对“里程焦虑”和“充电焦虑”的担忧,汽车制造商的应对措施是进一步整合零部件,利用电力电子技术的进步提高动力系统效率,使用 800 伏 + 的电力网络缩短充电时间。

IT之家获悉,该报告指出,碳化硅 (SiC) 是许多宽频带隙技术中的一种,被用于提高开关电源的效率,以驱动电动机,通过车载充电器接收电荷和转换直流电

Strategy Analytics 全球汽车实践 (GAP) 首席分析师 Kevin Mak 表示:“随着汽车制造商将业务调整为‘全电动’,它们之间的竞争加剧了。宽禁带技术,如碳化硅,使电机逆变器能够在更高的结温下运行,从而降低其热管理要求。提高电源开关的性能导致更小的逆变器,使电动牵引电机旋转更快,提高扭矩输出,提高电池电动动力系统性能。宽禁带技术还可以使部件变得更小,这意味着动力系统的尺寸、重量和功率都得到了改善,同时也使集成系统更具灵活性。800 伏技术还使汽车制造商能够使用更轻的电缆,比使用更低的电压提取电力更快。”

宽禁带或宽带隙(WBG)是指碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等半导体器件,其中需要相对较高的能量才能将电子从原子“价(valence)”带移动到其“导(conduction)”带,在导带电子可用于电流流动。“带隙”的量度是电子伏特(eV),硅(Si)的带隙值约为 1.1eV,而 SiC 为 3.2eV,GaN 为 3.4eV。高带隙值可提供更高临界击穿电压和更低泄漏电流,尤其是在高温下更是如此。宽带隙器件还具有更好的电子饱和速度,从而可以更快地开关。SiC 还具有特别好的导热性。

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关键词:电动汽车碳化硅

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