IT之家 3 月 18 日消息,SK 海力士(SK Hynix)近日宣布第八代 3D NAND 的详细信息,堆叠层数超过 300 层,预估将于 2024 年年底或者 2025 年年初上市发售。
IT之家从 SK 海力士官方公告中获悉,第 8 代 3D NAND 堆叠成熟超过 300 层,容量为 1Tb(128GB),具有三级单元和超过 20Gb / mm^2 的位密度(bit density)。
该芯片的页容量(page size)为 16KB,拥有 4 个 planes,接口传输速度为 2400MT / s,最高吞吐量为 194MB/s(比第 7 代 238 层 3D NAND 快 18%)。
新 NAND 的位密度增加近一倍,意味着将显著提高新制造节点的每晶圆生产率,也将降低 SK 海力士的成本,只是尚不清楚具体程度。
广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,IT之家所有文章均包含本声明。