IT之家 6 月 30 日消息，根据韩媒 The Elec 报道，三星存储业务高管近日参加了电子工程师协会 2023 年夏季会议，表示 2030 年 V-NAND 可以叠加到 1000 多层。
三星预测 V-NAND 的竞争将持续到 1000 层以上。三星于 2013 年推出 24 层开始，在过去 10 年间，已经发展到 200 多层。
IT之家注：三星最初推出的 V-NAND 每个 die 容量都有 128Gb（16GB），通过 3D 堆叠技术可以实现最多 24 层 die 堆叠，这意味着 24 层堆叠的总容量将达到 384GB。
三星高管表示正因为 V-NAND 的存在，延续了 NAND 的历史，是韩国国家创造技术和生态系统的少数成功事例。
三星高管表示为了推动 1000 层的 NAND 技术，就像建设摩天大楼一样，需要考虑坍塌、弯曲、断裂等诸多稳定性问题，此外还需要克服连接孔加工工艺、最小化电池干扰、缩短层高以及扩大每层存储容量等挑战。
广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。