IT之家 12 月 7 日消息,尼康官网发布新闻稿,宣布推出浸润式 ArF 光刻机新品 NSR-S636E,将于明年 1 月开售。
据介绍,NSR-S636E 是尼康光刻系统中生产率最高的产品,是一款用于关键层的浸润式光刻机。
尼康表示,随着数字化转型的加速,能够更快地处理和传输大量数据的高性能半导体变得越来越重要。尖端半导体性能技术创新的关键推动因素是电路小型化和 3D 半导体器件结构,而 ArF 浸润式光刻机对这两种制造工艺都至关重要。与传统半导体相比,在 3D 半导体制造过程中更容易发生晶圆翘曲和失真,因此需要比以往任何时候都更先进的光刻机校正和补偿能力。
NSR-S636E ArF 光刻机利用增强型 iAS(inline Alignment Station),在曝光前执行复杂的晶圆多点测量。这一系统利用高精度测量和广泛的晶圆翘曲和失真校正功能,提供了更高的重叠精度,同时保持了最大的吞吐量。
尼康表示,与当前型号相比,NSR-S636E 的生产效率提高了 10-15%。
IT之家从尼康官网参数表获悉,NSR-S636E 光刻机支持 38nm 以下精度,吞吐量可达 280 片晶圆 / 小时。
据日经新闻此前报道,时隔二十多年,尼康将于 2024 年投放光刻机新产品,通过寻求逆势开拓中国大陆市场,以实现卷土重来。不过,报道中提到的是 i 线光刻机,而非浸润式 ArF 光刻机。
报道还称,尼康和佳能曾在 1990 年代之前主导市场,但在最尖端的极紫外(EUV)设备的开发竞争中败给了 ASML。极紫外光刻机在 2010 年后半期实用化,全世界只有 ASML 能够生产。另一方面,尼康的经营资源分散在各种光源上,缺乏强势领域。
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