IT之家 2 月 28 日消息，英特尔技术开发负责人 Ann Kelleher 在周二于圣何塞举行的 SPIE 光刻会议上提到他们已经在 ASML 新型高数值孔径 (High NA) EUV 光刻机上实现了“初次曝光”里程碑，而 ASML 也进行了证实，并表示接下来将继续测试和调整该系统，使其能够发挥其全部性能。
那么问题来了，“初次曝光”是什么意思呢？“初次曝光”即是指光刻系统首次成功将光线图案投射到晶圆上。这标志着该光刻系统已经完成了基本功能验证，可以开始进行进一步的测试。
该进展有何重要意义？高数值孔径 EUV 光刻系统被认为是下一代芯片制造的关键技术之一。它能够在更小的芯片上蚀刻更精细的电路，从而使芯片能够变得更加强大和节能。
ASML 成功实现“初次曝光”意味着该公司的这项关键技术取得了重大进展。这将有利于加速下一代芯片的研发进程。
ASML 本月初展示了其下一代高数值孔径极紫外 (EUV) 光刻机，还透露其 High-NA Twinscan EXE 光刻机的价格约为 3.5 亿欧元（IT之家备注：当前约 27.37 亿元人民币）。
相比之下，现有的 EUV 光刻机价格约为 1.7 亿欧元（当前约 13.29 亿元人民币），当然具体价格要取决于具体型号和配置。
ASML 表示，该公司截至目前已收到包括英特尔和 SK 海力士在内数家公司的“10 到 20”个订单，并计划到 2028 年每年生产 20 台。
就目前已知信息，包括台积电和三星在内的各大先进芯片制造商都将在未来五年内引入该设备，英特尔上周表示他们计划将其用于 Intel 14A 节点的生产。
ASML 的 High-NA Twinscan EXE 光刻机代表了该公司技术的巅峰，每台设备重达 150 吨，相当于两架空客 A320 客机，需要 250 个集装箱运输，运到客户手里后还要再由 250 名工程师花费六个月的时间组装。
现有世界上第一台高数值孔径设备位于荷兰埃森・利特菲尔德实验室，第二台则正在美国俄勒冈州希尔斯 boro 附近的一家英特尔工厂进行组装。
相关阅读：
《ASML 价值 3.5 亿欧元的 High-NA EUV 光刻机已获得 10~20 个订单，预计到 2028 年可将年产量提高到 20 台》
《光刻技术进化，ASML 探索 Hyper-NA EUV：2030 推进至 0.7nm 工艺》
广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。