IT之家 6 月 27 日消息，不同于其他半导体龙头，美光并不急于为 DRAM 引入 EUV 光刻技术，因此该公司目前所有量产芯片都是采用 DUV 光刻机制造。
不过，美光最终还是无法避免使用 EUV 技术，并于今年开始在其 1γ 工艺上进行试生产，该工艺计划于明年进入大规模量产 (HVM) 阶段。
美光科技首席执行官 Sanjay Mehrotra 在刚刚举行的电话会议上表示：“采用极紫外光刻技术的 1γ DRAM 试产进展顺利，我们正按计划于 2025 年实现量产。”
目前，美光正在日本广岛工厂开发采用 EUV 的 1γ DRAM 制造工艺，这也是首批 1γ 内存的试产地。
Mehrotra 今年 3 月还表示：“我们正在不断改进使用极紫外光刻技术的生产能力，并在 1α 和 1β 节点上实现了 EUV 和非 EUV 工艺流程的等效良率和质量。我们已经开始采用 EUV 进行 1γ DRAM 试产，并计划于 2025 年实现量产。”
除了采用 EUV 技术的 1γ 和 1δ 生产工艺之外，美光还打算在未来几年探索 3D DRAM 架构以及用于 DRAM 生产的高数值孔径 EUV 技术。
当地时间 6 月 26 日，美光公布了第三财季（IT之家注：截至今年 5 月 30 日）业绩报告。数据显示，由于 AI 领域持续高速发展，存储解决方案需求攀升，使美光数据中心收入“如虎添翼”，该财季总营收达到 68.1 亿美元（当前约 496.13 亿元人民币），同比更是大增 81.6%，优于分析师此前预期的 66.7 亿美元（当前约 485.93 亿元人民币）。
展望截至今年 8 月底的第四财季，美光预计营收区间为 74 亿-78 亿美元（当前约 539.11 亿- 568.25 亿元人民币），区间中点基本符合分析师预期的 75.8 亿美元（当前约 552.22 亿元人民币）。
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