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消息称三星 1b nm 移动内存良率欠佳,影响 Galaxy S25 系列手机开发

2024/9/4 15:51:33 来源:IT之家 作者:溯波(实习) 责编:溯波

IT之家 9 月 4 日消息,据韩媒 ZDNET Korea 报道,三星电子 MX 部门 8 月向 DS 部门表达了对面向 Galaxy S25 系列手机的 1b nm (IT之家注:即 12nm 级) LPDDR 内存样品供应延误的担忧。

三星电子于 2023 年 5 月启动 1b nm 工艺 16Gb DDR5 内存量产,后又在当年 9 月发布 1b nm 32Gb DDR5,并一直在内部推进 1b nm LPDDR 移动内存产品的开发工作。

然而该韩媒此前就在今年 6 月 11 日宣称,三星电子的 1b nm DRAM 内存产品当时良率不足五成

三星电子 LPDDR 内存产品线

▲ 三星电子 LPDDR 内存产品线

韩媒今日报道指出,三星电子 DS 部门本应在 8 月之前就向 MX 部门供应一定规模的 12Gb、16Gb 容量 1b nm LPDDR 内存样品,用于 Galaxy S25 系列手机开发。但 DS 部门未能按时提供足够数量样品

知情人士透露,三星电子的 1b nm LPDDR 良率不及预期,影响了企业内部的供货时间表,MX 部门已就此提出抗议,并正在重新审视 Galaxy S25 系列手机的 DRAM 供应计划。

根据 DRAM 产业一般规律,要想实现稳定且经济的大规模生产与供应,内存良率至少需要达到 80%。目前看来三星电子的 1b nm LPDDR 即使在企业内部供应中也存在不足问题,意味着该产品良率远低于 80% 的目标。

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