红旗碳化硅功率芯片完成首次流片，实现全链条主导开发

IT之家 10 月 23 日消息，一汽红旗昨日宣布，由研发总院新能源开发院功率电子开发部自主设计的碳化硅功率芯片完成首次流片。

IT之家获悉，该款碳化硅功率芯片从产品核心指标定义、衬底与外延材料选择、元胞结构设计、动静态性能仿真、工艺仿真、版图设计、晶圆流片到晶圆封测，实现全链条主导开发。

官方表示，该款芯片聚焦整车电驱动、智慧补能、车载电源、高压配电、电动化底盘等系统应用需求，创新采用低导通电阻元胞结构、高元胞密度版图、高可靠性终端结构及片上栅极电阻集成技术，实现击穿电压超过 1200V，导通电阻小于 15mΩ，力求在效率、可靠性、集成化及标准化方面实现均衡设计。

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