纵观 2024 年，存储技术升级已经给 AI 计算、云端应用带来了诸多便利，从年初铠侠首款量产车规级 UFS 4.0 推动行业发展，到 RM、PM 和 XG 系列 SSD 与 HPE 携手登陆国际空间站，再到推出容量高达 2Tb 的第八代 BiCS FLASH™QLC，展示下一代前瞻性的光学结构 SSD，铠侠与合作伙伴一起，不仅满足了时下的存储应用需求，并已经为未来存储铺垫全新的技术可行性。
更大容量的存储
AI 计算对企业级存储提出了更为严苛的要求，Tera 级别参数的大模型可以轻松装满一块 30TB 的企业级固态硬盘，更大容量的存储解决方案势在必行。在年初，铠侠正式发布第八代 BiCS FLASH™，并应对市场要求，提供 TLC 和 QLC 两个系列产品线。
其中 QLC 能够更好的在单位空间内提升存储容量，第八代 BiCS FLASH™2Tb QLC 的位密度比铠侠目前所采用的第五代 BiCS FLASH™的 QLC 产品提高了约 2.3 倍，写入能效比提高了约 70%。不仅如此，全新的 QLC 产品架构可在单个存储器封装中堆叠 16 个芯片，为业界提供领先的 4TB 容量，并采用更为紧凑的封装设计，尺寸仅为 11.5 x 13.5 mm，高度为 1.5 mm。
这意味着，未来采用第八代 BiCS FLASH QLC 的存储产品在存储空间拥有质的飞跃，可以轻松将企业级 SSD 和数据中心级 SSD 容量提升至 120TB 以上。Pure Storage 公司已经开始对第八代 BiCS FLASH™2Tb QLC 闪存产品展开测试，并认为利用 BiCS FLASH™技术的统一全闪存数据存储平台不仅能够满足人工智能的严苛要求，还能实现极具竞争力的备份存储成本。
另外，第八代 BiCS FLASH™全面优化了逻辑电路，在存储密度提升 50% 以上的同时，NAND I/O 速度提升可达 60% 以上，可实现 3200MT/s 的传输速率，并大幅改善的读取延迟，能够从数据中心、个人电脑都提供更高的存储容量，并允许产品腾出更多的空间，留给电池、个性化，以及轻薄设计。
PCIe 5.0 与 EDSFF 加速部署
PCIe 6.0 到 PCIe 7.0 规范愈发成熟，PCIe 5.0 企业级存储也进入到了加速普及的时间点。在今年 10 月份，铠侠正式发布了全新 XD8 系列 PCIe® 5.0 EDSFF（企业和数据中心标准型）E1.S 固态硬盘。它是铠侠第三代 E1.S 固态硬盘，符合 PCIe 5.0（32 GT/s x 4）和 NVMe 2.0 规范，并支持开放计算项目（OCP）数据中心 NVMe SSD v2.5 规范。
PCIe 5.0 提供了相对 PCIe 4.0 翻倍的传输效率，其高带宽和低延迟特性允许 SSD 在高负载场合下提供更多并发访问的可能性，更高的 IOPS 也允许服务器在 AI、数据库、虚拟化、多媒体编辑中展现出至关重要的作用。
不仅如此，当 EDSFF 规范与 PCIe 5.0 搭配更是将效率提升了一个级别，EDSFF 规范在散热上具备更高的效率，配合 SSD 设计可以获得更高的存储密度，灵活的接口形态以及对 Compute Express Link™ (CXL™) 的支持，给存储解决方案提供更多灵活、快速的配置。
刚刚推出的铠侠 XD8 系列已经做好为下一代存储提供支持的准备，它专为云和超大规模环境设计，满足数据中心对高性能、高效率和高可扩展性的日益增长的需求。通过这款新的固态硬盘，云服务提供商和超大规模企业能够优化基础设施，在保持运营效率的同时提供卓越的性能。
打造未来存储
在后 5G 信息和通信时代，AI 已经开始产生前所未有的数据量。铠侠也在积极探讨前瞻性存储的更多可能性，比如例如基于相变存储原理打造的 XL-FLASH 存储级内存（Storage Class Memory, SCM）与 CXL 相结合，开发相较 DRAM 功耗更低、位密度更高，相较闪存读取速度更快的存储器。这不仅会提高存储器利用效率，还有助于节能。
按位密度和读取时间划分的存储器类别
在车规级存储领域，铠侠已经获得已获得汽车软件过程改进及能力评定（Automotive SPICE®，ASPICE）二级认证（CL2）。铠侠是首家在车规级 UFS 4.0 产品上获得该认证的公司，意味着铠侠车规级 UFS 4.0 已经进入结构化的项目管理和软件开发流程，以确保产品质量的一致性和可追溯性，不仅满足汽车制造商和一级供应商对车规级 UFS 4.0 设备严苛的软件开发和质量标准要求，也意味着在未来的高性能车规级多媒体系统中，将会铠侠车规级 UFS 4.0 的身影。
另外，铠侠还宣布开发出 OCTRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，氧化物半导体晶体管 DRAM）技术，这是一种新型 4F²DRAM，由兼具高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术采用 InGaZnO（铟镓锌氧化物）晶体管，可将漏电率降低到极低水平，从而降低 DRAM 功耗。无论是 SSD 独立缓存还是内存产品，都有机会通过这项技术获得高性能、低功耗的产品表现。
InGaZnO 晶体管的 (a) 导通和 (b) 漏电流特性
显然 2025 年依然是充满了技术挑战和技术创新的一年，铠侠与合作伙伴们已经做好了面对新挑战的准备，全新的存储技术和解决方案将会在 AI 加速，云端计算，虚拟化应用，数据中心部署等商业场景中大放异彩，同时笔记本电脑、手机、XR 设备也将因为存储芯片的性能提升和尺寸缩小，拥有更多可能性，为用户提供更好的存储体验。
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