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4.8 Gb/s、332 层堆叠!铠侠携手闪迪革新 3D 闪存技术,性能功耗双突破

2025/2/20 10:41:30 来源:IT之家 作者:故渊 责编:故渊

IT之家 2 月 20 日消息,铠侠(Kioxia)携手闪迪(SanDisk),在 2025 年  IEEE ISSCC 学术会议上,针对 AI 应用场景,推出全新 3D 闪存解决方案,将 NAND 接口速度提升至惊人的 4.8 Gbps。

该 3D 闪存解决方案采用 Toggle DDR6.0 接口标准和 SCA 协议,NAND 接口速度达到 4.8Gb/s,比第八代产品提升 33%。

此外该方案还具备功耗低(PI-LTT 技术降低数据输入 / 输出功耗,输入功耗降低 10%,输出功耗降低 34%)、密度高(332 层堆叠和优化平面布局,位密度提升 59%)等优点。

铠侠和闪迪还展望第九代和第十代 3D 闪存产品,第九代产品利用 CBA 技术融合现有存储单元技术和新 CMOS 技术,实现高性价比。第十代产品将进一步提升容量、速度和功耗表现,满足未来数据中心和 AI 应用需求。

IT之家注:CBA 技术是指结合 CMOS 创新与成熟的存储单元设计,打造兼具高性能、低功耗和经济性的解决方案。

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关键词:NAND闪存铠侠闪迪

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