IT之家 3 月 17 日消息，据银川经济技术开发区管理委员会消息，3 月 15 日上午，由中国电工技术学会主持召开，银川经开区企业宁夏超导泛半导体科技有限责任公司牵头组织的“高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用科技成果鉴定会”在银川举办。
鉴定会上，中国科学院院士甘子钊领衔的专家委员会对项目进行了全面评估，一致认为该项目颠覆了传统磁拉单晶技术，解决了多项硅单晶生长分析与控制等关键技术难题，填补了我国在高端硅晶体制造领域的多项空白，综合性能达到国际领先水平。
据介绍，高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用的关键在于引入高温超导磁体技术。科研团队针对高品质大尺寸硅单晶生长技术瓶颈，研制出高温超导磁控硅单晶生长装备，另外公司自主研发的高温超导磁控硅单晶生长设备及技术可将硅片含氧量稳定控制在 5ppma 以下，硅棒头尾利用率提升 4% 以上，生产效率提升 12%，目前已拉出直径达 340mm 的高品质硅棒。
IT之家从银川经济技术开发区管理委员会获悉，大尺寸硅单晶长棒快速、高稳定性、低含氧量的生长，能直接解决大尺寸 (12 英寸以上) 高品质硅单晶的低成本、规模化生产，从而实现全产业链降本增效、技术迭代。项目报告显示，宁夏超导泛科技自主研发的高温超导磁控硅单晶生长设备及技术，可将硅片含氧量稳定控制在 5ppma（质量百万分比）以下，硅棒头尾利用率提升 4% 以上，生产效率提升 12%，目前已拉出直径达 340 毫米的高品质硅棒。
中国科学院院士甘子钊表示：“这是国际上首次将高温超导技术应用于磁控直拉单晶生长，为高温超导技术产业化做了很多开创性的工作，开辟了超导技术产业化新赛道。”
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