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消息称 SK 海力士 1c nm DRAM 内存良率约为 80%,触及量产及格线

2025/4/8 9:14:55 来源:IT之家 作者:溯波(实习) 责编:溯波

IT之家 4 月 8 日消息,韩国媒体《hankooki》当地时间 3 日报道称,SK 海力士的 1c nm(IT之家注:即第六代 10 纳米级)DRAM 内存工艺近期良率约为 80%,较去年下半年的六成有明显提升。

一般而言 DRAM 内存工艺在良率达到 80%~90% 时就可进入正式量产,可以说 SK 海力士的 1c nm 制程即将达到大规模生产所需的水平。

SK 海力士是在去年 8 月宣布成功开发出全球首款第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM 的。该制程节点是 1b DRAM 平台的扩展,拥有更高生产率,并在运行速度、能效方面取得了改进。除 DDR5 外 LPDDR6、GDDR7 等也将采用该制程。

不过 SK 海力士的第六代 10 纳米级工艺尚需更长时间方能在需求火热的 HBM 领域得到应用:有消息表示,SK 海力士在今年内量产的 HBM4 内存上仍将采用更为成熟的 1b nm DRAM。

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关键词:SK海力士DRAM内存

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